Методом жидкофазного эпитаксиального выращивания получены свободные монокристаллические плёнки AlGaAs и тонкоплёночные гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Определены технологические режимы роста плёнок и влияние условий кристаллизации на состав и варизонность. Область применения: СВЧ-, микро- и оптоэлектроника.