Исследование влияния примесных центров и фототермического отжига на структуру и оптоэлектронные свойства наноструктурированного пористого и аморфного кремния
Жетекшінің аты-жөні, тегі: Т.И.Таурбаев
Work head: Е.А.Сванбаев
: НИИ эксперим. и теорет. физ. при КазНУ
Инвентарлық номер: 0204РК00760
Тіркелген номер: 0103РК00683
негізгі сөздер: Пористый кремний, Аморфный кремний, Пленочные материалы, Наноструктуры, Монокристаллический кремний, Оптоэлектроника, Полупроводники, Нанокристаллы, Фотолюминесценция,
Исследованы особенности формирования и структурно-оптические свойства тонких плёнок пористого и аморфного кремния, полученных химическим травлением монокристаллического кремния, магнетронным распылением и разложением силана. Показано, что сложная структура плёнок пористого кремния определяет свойство отражать свет от его поверхности. С повышением температуры фотоотжига адсорбированный водород уходит с поверхности нанокристаллитов. Пассивация поверхности нанокристаллитов водородом способствует восстановлению оборванных связей и влияет на эффективность фотолюминесценции. В структуре аморфного кремния имеются сильно связанная основная подрешётка, слабо связанная подрешётка дефектов и микропоры. На величину оптической ширины запрещённой зоны могут оказывать влияние обе подрешётки. До отжига доминирует аморфная фаза. Кристаллические блоки размером 2-4 нм составляют 4-6 об. %. После отжига также доминируют аморфная фаза и малые кристаллические блоки, но их доля увеличивается до 9 об. %. Легирование аморфного кремния европием ведёт к усилению люминесценции в диапазоне 1460-1610 нм, что объяснено образованием ErO[6]-комплексов.