Объект исследования: аморфные пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников, пленки аморфного гидрогенизированного углерода. Изучена взаимосвязь эволюции структуры и электронных свойств аморфных полупроводниковых пленок, сформированных в термодинамически открытой системе в неравновесных условиях при переходе от квазиравновесного хаоса к твердотельному когерентному состоянию. Установлено изменение исходной структуры и электронных параметров пленок As-Se при термообработке. Оптические параметры и параметр среднего порядка атомной структуры пленок зависят от их исходной структуры и коррелируют между собой. При получении пленок аморфного гидрогенизированного углерода температура подложки является определяющим фактором структурной самоорганизации. Изменяя температуру подложки можно получать аморфные пленки углерода с разной структурной модификацией - от алмазо- до графитоподобных. Отмечена возможность управления электронными свойствами пленок аморфного алмазоподобного углерода путем примесной модификации атомами серебра.