Объект исследования: процесс автолокализации экситонов, их излучательная и безызлучательная релаксация при одноосном и всестороннем сжатии щелочно-галоидных кристаллов. Рассчитаны значения автолокализационного барьера в KI, CsI, KBr, KCl и их уменьшение при одноосной деформации. Показана возможность безбарьерной автолокализации в KCl. Зарегистрировано влияние одноосной деформации на спектры поглощения одногалоидных экситонов в тонкопленочных кристаллах NaI и KI.