Исследованы механизм структурообразования при химическом получении пористого кремния, работа концентраторного солнечного элемента GaAs в системе с линзой Френеля, механизм возбуждения и структурная зависимость Er {3+}-эмиссии в аморфных и нанокристаллических GaN-пленках. Показано, что сложная мультифрактальная структура пленок пористого кремния определяет особенности отражения света от его поверхности. На эффективность работы концентрирующей системы сильное влияние оказывает наличие паров воды в атмосфере. Область применения: физика и технология полупроводниковых материалов.