Объект исследования: полупроводниковые материалы А3В5 и структуры на их основе, алмазоподобные пленки углерода. Изучена кинетика межфазного взаимодействия в системе Bi-Al-Ga-As/GaAs. Определены особенности структурообразования слоев углерода. Разработаны экспериментальная методика и оборудование для изучения кинетики растворения подложки GaAs расплавами Bi-Ga-Al. Выявлено влияние кристаллографической ориентации подложки на процесс растворения.