-Была синтезирована ионная жидкость бис-(трифторметилсульфонил)имида бетаина. Синтез [Hbet][Tf2N] ИЖ был осушествлен из водных растворов соответствующих прекурсоров: гидрохлорида бетаина и бис-(трифторметилсульфонил)имидной соли лития. -Исследована кинетика электрохимического восстановления индия из синтезированной ИЖ. Исследования электроосаждения индия из [Hbet][Tf2N] содержащей 0,1 моль/л комплексной соли [Inbet3][Tf2N]3 был осуществлен на индиевом и стеклоуглеродном электродах. Для этого была синтезирована комлексная соль индия с [Hbet][Tf2N] ионной жидкостью путем растворения In2O3 в [Hbet][Tf2N]. Результаты измерений спектроскопии электрохимического импеданса показывают, что импеданс индиевого электрода в исследуемых электролитах имеет сложный характер и кривая Найквиста не согласуется с простой эквивалентной схемой Рэндлса. Включение импеданса Геришера, указывающего на наличие гомогенной химической реакции в эквивалентную схему, продемонстрировало хорошее совпадение теоретических данных с измеренными диаграммами Найквиста. Также, были определены плотность тока обмена по схеме [Rs([RctGW]C)] равна 4,06×10-4 А/см2 при 348 К. На основе зависимости Рэндлса-Севчика был рассчитан коэффициент диффузии ионов In3+ (4,93×10–7 см2/с). -Подана статья «Electrochemical reduction of indium from In-DTPA complexes and the kinetics of anodic dissolution» в журнал Journal of Electroanalytical Chemistry (Q2) имеющий процентиль 83 по CiteScore в базе данных Scopus.