1. Широкая полоса ФЛ при 473 нм при возбуждении светом длинной волны 280 нм в кристаллах BaFBr, обусловлена центрами, содержащими примеси кислорода O_F^{2-}, наличие примеси Eu2+ приводит к появлению свечения 389 нм 2.Интенсивность ФЛ полосы при 473 нм уменьшается начиная с флюенса 1х1012 ионов/см2 3. С увеличением флюенса начиная с Ф= 1х1010-1х1012 ионов/см2 наблюдалось уменьшение интенсивности сигнала связанного с фононами фтора в спектре комбинационного рассеяния, которое может быть связанно с генерацией дефектных центров F(F-). 4. Правильность модели базирующейся на коде VASP (ab initio total energy и молекулярная динамика) доказана расчетом спектра поглощения центров окраски F(F-) экспериментальное значение максимума - 2.62 эВ и моделирование дало - 2.65 эВ аналогично для центров окраски F(Br-), экспериментальное значение максимума - 2.28 эВ и теоретическое - 2.17 эВ. 5 Созданы модели и сделан расчет спектров поглощения более сложных агрегатных центров окраски F2 (Br-) и F2(F-) и междоузельных H-центров