образцы на основе нанокристаллических оксидов CeO2, TiO2, Y2O3, Y2Ti2O7, Y4Al2O9, MgAl2O4, Cr2O3 были подготовлены и облучены ионами криптона (107 МэВ), ксенона (148 МэВ, 230 МэВ) и висмута (670 и 714 МэВ) при комнатной температуре в режимах одиночных и многократно перекрывающихся треков. Получены их спектры комбинационного рассеяния и ПЭМ снимки латентных треков. Изучены параметры и морфология треков в CeO2, TiO2, Y2Ti2O7, Y4Al2O9. На основе полученных данных были определены пороговые уровни ионизационных потерь для образования треков и аморфизации Y-Ti-O и Y-Al-O. Проведены оценка применимости модели неупругого термического пика для описания процесса дефектообразования в оксидах Y-Ti-O и Y-Al-O и моделирование повреждений решетки в Y2O3 и Y2Ti2O7 методом молекулярной динамики. Определены параметры возбуждения электронной и ионной подсистем Y2O3 и Y2Ti2O7, используя которые была определена структура индивидуальных треков и порог их образования в массивных образцах Y2Ti2O7. Подобные результаты получены впервые в мире. Также нанокристаллические образцы были подготовлены и облучены ионами высоких энергий при различных температурах (80 К и 1000 К). Начаты работы по изучению в них радиационно-индуцированных микроструктурных и морфологических особенностей. Работы по Проекту продолжаются согласно календарному плану.