Результаты исследований: В результате выполнения проекта были получены синтезированные образцы кристаллов β-Ga2O3 методом спекания порошка под мощным электронным пучком. Показано, что данный метод позволяет получать протяженные образцы, которые имеют достаточно хорошее качество. Построена теория образования дефектов в результате ионного облучения и дано описание модификации электронных и оптических свойств коммерческих кристаллов в зависимости от легирования.