Краткое описание конечного результата – методом стехиометрического сплавления в вакууме получены чистые и модифицированные примесями серы слоистые кристаллы селенидов индия и галлия, а также их родственных структур, таких как GaTe и GaS; отработана технология микромеханического расщепления, переноса на подложку и нанесение электрических контактов с использованием электронно-лучевой литографии на малослойные нанокристаллы; полученные в работе двумерные нанокристаллы обладают высокой фоточувствительностью и имеют полосу фотолюминесценции в видимом диапазоне спектра оптического излучения; в двумерных нанокристаллах GaSeS пик ФЛ смещается в ультрафиолетовую область с увеличением содержания серы S в кристалле; фотодетекторы на основе двумерных нанокристаллов InSe и GaSe с двумя переходами Шоттки, обладают высокой фоточувствительностью при общем и локальном освещении, и могут быть использованы в качестве позиционно-чувствительных фотодетекторов; облучение низкоэнергетичными ионами аргона и азота приводит к увеличению темнового тока и фотоотлика изготовленных фотодетекторов. Новизна исследований – получение слоистых кристаллов селенидов индия и галлия, а также родственных структур методом стехиометрического сплавления в вакууме и комплексные исследования их электронных свойств.