Исследовано дефектообразование в ионно-молекулярных кристаллах методами квантовой химии. Установлена возможность образования одной пары дефектов под действием одного кванта. Разработана программа моделирования дефектообразования в двухмерных кристаллах. Показано, что после продолжительного облучения возникают устойчивые области с одноименно заряженными дефектами.
