Отработана технология получения модифицированных аморфных пленок методом ионно-плазменного сораспыления комбинированной мишени из халькогенидного полупроводника и металла с контролируемыми структурой и составом. Создан материал на основе наноразмерных пленок GeSbTe225, модифицированных висмутом. Показана возможность управления электронными свойствами и эффектом переключения путем изменения концентрации примеси Bi и толщины наноразмерных пленок. Выявлены физические основы управления процессом записи информации в пленках халькогенидных полупроводников.
