Показано, что хиллоки образуются из вещества, вышедшего на поверхность из приповерхностной области ионного трека. Установлено появление хиллоков со стороны входа и выхода иона через утоненную поверхность. Радиационные дефекты на поверхности радиационно-стойких диэлектриков (Al[2]O[3], TiO[2]) в виде хиллоков имеют кристаллическую структуру. Данный эффект наблюдается в широком диапазоне температуры облучения. Экспериментально полученные параметры треков сопоставлены с расчетными значениями.