Отработана технология получения модифицированных аморфных пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП). Изучена структура наноразмерных пленок, полученных методом ионно-плазменного напыления. Показано, что при лазерном облучении структура пленок ХСП с примесью висмута переходит из стеклообразного состояния в кристаллическое со стабильной гексагональной структурой без промежуточного метастабильного состояния с кубической структурой. Отмечена возможность управления полупроводниковыми свойствами ХСП путем изменения концентрации примеси висмута и толщины пленок. Изменяя характеристики неоднородностей (толщина, состав, модифицирование примесью металла), можно управлять эффектом памяти ХСП.