Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
sldtest721
Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
sldtest721
Вход
Регистрация
FAQ
Контакты
RU
KZ
Национальные ресурсы НТИ
«Государственные услуги, оказываемые АО «НЦГНТЭ»:
практические рекомендации для научного сообщества»
подробнее
Касым-Жомарт Токаев:
«Казахстан постепенно превращается
в региональный академический и научно-исследовательский хаб»
подробнее
Национальные ресурсы
/
Отчеты о НИР
Разработка детекторов быстрых нейтронов на основе высокочистых эпитаксиальных слоев VPE GaAs и исследование их характеристик
Руководитель проекта: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Буртебаев Н.
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0216РК00979
Регистрационный номер: 0115РК01174
Ключевые слова: протоны отдачи*хлоридная газофазная эпитаксия*гамма-кванты
Ссылка
Проведена характеризация поверхностно-барьерного VPE GaAs-сенсора. Измерены параметры переноса в рабочем слое детектора, спектральные характеристики сенсора на источниках ?-частиц и ?-квантов, эффективность сбора заряда, эффективность регистрации, порог регистрации протонов, соотношение сигнал/фон. Проведено моделирование характеристик детектора быстрых нейтронов в коде Geant 4 (версия 8.3).
Баннеры