Подпороговые механизмы создания радиационных дефектов в ионно-молекулярных кристаллах
Full Name of the work head: Нурахметов Т.Н.
Исполнители проекта: А.Б.Баймаханов
: Алмат. гос. ун-т им. Абая
Inventory number: 0200РК00429
Registration number: 0197РК00439
Keywords: ионно-молекулярные, кристаллы, радиационные, дефекты, механизмы,
При возбуждении рентгеновскими и УФ-лучами в кристалле K2SO4-Pb возбужденные ионы SO4 2- распадаются на дырочные SO3-- и O-- центры возле примеси Pb2+. Нарушение решетки приводит к автолокализации экситонов. Коротковолновое излучение в кристаллах K2SO4 с примесями Mn+, NO3-, Pb2+ при 5,7 и 5,4 эВ связано с излучением автолокализованного экситона второго типа возле примесей. В кристаллах Na2SO4 и K2SO4 полосы излучения при 3,65-3,7 эВ обусловлены излучением автолокализованного экситона первого типа. В кристаллах LiKSO4 реализовано излучение автолокализованных экситонов двух подрешеток.
