Исследован вольфрам - один из перспективных материалов для зашиты первой стенки ТЯР. Разработана теоретическая модель для расчетов накопления гелия в вольфраме при облучении низкоэнергетическими альфа-частицами. Проведены расчеты по эволюции дефектной структуры и имплантированного в вольфрам гелия при облучении и последующем отжиге. Выполнены исследования структуры и механических свойств поверхности вольфрама, облученного низкоэнергетическими альфа-частицами. Предложен механизм выхода пор на поверхность и разупорядочения приповерхностных слоев вольфрама.