Исследованы процессы деградации затравочных подложек А3В5 при отделяемом росте монокристаллических пленок, механизм растворения затравочных подложек GaB5 при жидкостной эпитаксии. Определено влияние состава жидкой фазы на кинетику релаксации и ориентационную зависимость деградации подложек GaB5. Установлены причины отличия экспериментальных кривых растворимости от расчетных значений. Предположено, что в пределах области отделяемого роста количество A1, переходящего из расплава в твердую фазу в процессе релаксации межфазной границы, остается постоянным для данной температуры. Рассчитана глубина растворения подложки при отделяемом росте. Найдена связь степени деградации подложки с параметрами растворения - плотностью дислокаций, размером областей и фактором анизотропии растворения. Уточнены оптические и электрические свойства пленок а-Si:H, a-SiC:H, выращенных в тлеющем разряде постоянного тока. Оптимальное использование отражающего тыльного контакта в структурах аморфного гидрогенизированного кремния позволяет в два раза уменьшить температурный коэффициент фототока. Область применения: физика аморфных и кристаллических полупроводниковых материалов.