Исследованы технологические режимы осаждения сульфида и теллурида кадмия. Разработаны технологические режимы осаждения базового слоя из сульфида и теллурида кадмия с различным соотношением компонентов. Проведен анализ структуры, фазового состава и физических свойств полученных материалов. Получены твердые растворы Te в Cd, Cd в Te и Cd в CdTe. Установлено расширение гомогенности CdTe. Изготовлены мишени из теллура и кадмия. Отработаны условия синтеза теллурида кадмия, проведен анализ его структуры и физических свойств. Установлена связь между составом базового слоя и динамикой структуры, фазового состава, спектров пропускания и поглощения, а также шириной запрещенной зоны для системы теллур-кадмий. Отработаны условия осаждения слоев из сульфида кадмия и формирования гетерограницы CdS/CdTe. Определен тип кристаллической системы и параметр альфа г.ц.к. решетки. Рассмотрены условия осаждения слоев хлорида кадмия и перекристаллизации базового слоя. Определен тип кристаллической системы и параметры альфа и альфа р.ц.р.-решетки системы.