Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Наука Казахстана
Документация
Анонсы
Мировая наука
Издания НЦГНТЭ
Международные гранты
Инфографика
Публикации в СМИ
Вход
Регистрация
FAQ
Контакты
RU
KZ
Национальные ресурсы НТИ
«Государственные услуги, оказываемые АО «НЦГНТЭ»:
практические рекомендации для научного сообщества»
подробнее
Касым-Жомарт Токаев:
«Казахстан постепенно превращается
в региональный академический и научно-исследовательский хаб»
подробнее
Национальные ресурсы
/
Отчеты о НИР
Разработка детекторов быстрых нейтронов на основе высокочистых эпитаксиальных слоев VPE GaAs и исследование их характеристик
Руководитель проекта: Лаврищев О.А.
Исполнители проекта: Буртебаев Н.
Организация: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарный номер: 0215РК00892
Регистрационный номер: 0115РК01174
Ключевые слова: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ*ПРОТОНЫ ОТДАЧИ*ХЛОРИДНАЯ ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ*ГАММА-КВАНТЫ*АРСЕНИД ГАЛЛИЯ*БАРЬЕР ШОТТКИ
Ссылка
Проведен сравнительный анализ конструкций полупроводниковых детекторов нейтронов, разработаны экспериментальные образцы VPE GaAs сенсоров протонов отдачи и исследование их характеристик. Получены результаты измерений электрофизических характеристик п/б VPE GaAs сенсора, разработаны схемы подключения разработанных детекторов к электронике съема, результаты определения эксплуатационных характеристик разработанных детекторов.
Баннеры
