Исследована применимость широкозонных полупроводников в устройствах на основе спина и электрического заряда. Были частично сняты характеристики пластин GaAs и ZnSe. Во второй половине года кристаллы GaAs и ZnSe были полностью охарактеризованы посредством пропускания, подсчитанного и подогнанного поглощения, комбинационного рассеяния, ФЛ-спектроскопии и АСМ. Все II-VI монокристаллы демонстрируют отличные свойства и доказали, чтобы пригодны для высококачественных тонких пленок и квантовых ям. Материалы III-V имеют более низкие качественные показатели, однако проявили потенциал быть полезными для осаждения, особенно при добавлении подходящих буферных слоев.
