Исследовано создание нового класса наномембран и нанофильтров методом радиационного воздействия при облучении кластерными атомарными пучками. Рассмотрены научные основы радиационной технологии создания наномембран в ультратонких углеродистых наноматериалах с помощью облучения кластерными атомарными пучками и высокозаряженными частицами тяжелых ионов. Обнаружены дефекты в виде кратеров и нанопор после облучение кремния и оксида графена кластерными атомами Ar, соответственно. Предполагается, что для дефектообразования в графене высокозаряженными ионами требуются высокий заряд > +28 и низкая кинетическая энергия <1кэВ.