Исследован механизм реакций восстановления и последующего окисления теллура и пар ртуть-теллур, кадмий-теллур. Найдены условия стехиометрического осаждения полупроводниковых соединений CdTe и HgTe. Установлена электрохимическая активность соединений в процессах окисления. Показано влияние материала подложки (никель, титан, стеклоуглерод, платина) на электрохимические характеристики. Разработан метод измерения сопротивления полупроводниковых пленок. Отмечено, что сопротивление увеличивается с уменьшением температуры. Получены пленки состава Cd0,2 Hg0,8Te, обладающие эффективной светочувствительностью в инфракрасной области спектра. Платинированная платина является эффективным электродным материалом в процессах окисления сульфид-ионов в растворах.