Научной целью настоящего проекта является экспериментально-теоретическое исследование контролируемых изменений оптоэлектронных, электрических, люминесцентных свойств, радиационной стойкости кристаллических соединений на основе Ga2O3 посредством легирования и наноструктурирования.
