Цель проекта заключается в разработке технологии последовательной очистки MG-Si до SoG-Si физико-химическими методами, без использования дополнительных этапов традиционной очистки в газовой фазе и получение кремния качества SoG-Si, чистотой не менее 99,9998% пригодного для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). А также создание тестовых солнечных элементов из полученного кремния
