Объект исследования: полупроводниковые кристаллы А3В5, в частности GaAs и GaP. Изучены: влияние ориентации на характеристики растворения подложек GaAs и GaP расплавами Sn(Bi)-Al; природа менисковых линий; механизм растворения GaB5 расплавами Sn-Ga-Al; анизотропия растворения подложек GaAs и GaP с ориентацией (100), (110) и (111) А, В. Проанализированы возможные ошибки при определении растворимости бинарных подложек в многокомпонентных растворах, содержащих в малых количествах элемент с большим коэффициентом сегрегации. Разработана методика исследования фазовых равновесий. Получены кривые растворимости в системах Sn-Ga-Al-As/GaAs и Sn-Ga-Al-P/GaP. Проведено компьютерное моделирование процесса растворения подложек (100) GaB5.