Объект исследования: полупроводниковые материалы А3В5, пленки аморфного гидрогенизированного кремния, антиотражающие пленки TiO2 и Al2O3. Цель: получение отделяемых пленок монокристаллического арсенида галлия и приборных структур на их основе. Изучены оптоэлектронные свойства аморфного гидрогенизированного кремния, пленок TiO2 и Al2O3. Выращены пленки GaAs, отделенные от затравочной подложки. Показано, что структуры GaAs могут быть использованы в качестве базовых при изготовлении дешевых и эффективных солнечных элементов. На основе пленок TiO2 и Al2O3 возможно формирование двухслойных покрытий для солнечных элементов со средним коэффициентом преломления, не превышающим 3%. Область применения: физика и технология полупроводниковых приборов.