"Объектами исследования являются квантовые точки полупроводников CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS Цель работы заключается в разработке модифицированных методов синтеза коллоидных квантовых точек полупроводников с высоким квантовым выходом люминесценции, имеющие максимум полосы люминесценции приходящейся на область максимальной спектральной чувствительности солнечных элементов; синтезируемые квантовые точки обладают спектром возбуждения совпадающей со спектром солнечного излучения в диапазоне от 450-700 нм. Методология проведения работы. коллоидный синтез, золь-гель технологии, фотоэлектронная спектроскопия, оптическая спектроскопия, люминесцентный анализ, рентгеноструктурный анализ. Результаты работы. Выяснены механизмы формирования и закономерности роста КТ. Выявлено влияние условий синтеза на оптико-люминесцентные свойства КТ. Получены КТ требуемых оптических свойств. Получены новые методы коллоидного синтеза полупроводников CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS; апробированы существующие методы коллоидного синтеза, проведена модификация синтеза позволяющая получать квантовые точки высокого качества; опубликована 1 (одна) статья в журнале с импакт -фактором 1,191 входящим в базу Thomson Reuters, Web of Science. Новизна результатов. В настоящей работе получены квантовые точки CdSe, CdTe, CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS люминесцирующие в требуемой области спектра совпадающей с областью спектральной чувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей. Основные технологические и технико-эксплуатационные характеристики. Полученные квантовые точки обладают высокой фотостабильностью, спектром поглощения совпадают с коротковолновой областью солнечного спектра. Получены квантовые точки с высоким квантовым выходом люминесценции до 39%. "