"Подобраны оптимальные условия синтеза нитрида галлия и оксида цинка химическим осаждением из газовой фазы CVD и атомно-слоевого осаждения ALD, проведены исследования физико-химичеcких свойств, морфологии и структуры нитрида галлия и оксида цинка, легированного алюминием оксида цинка. Объекты исследования: нитрид галлиевые и цинк оксидные структуры, полученные химическим осаждением из газовой фазы и атомно-слоевым осаждением. Результаты исследования. Для решения поставленной задачи были определены оптимальные условия синтеза материалов CVD и ALD методом: - получены упорядоченные наностержни нитрида по дешевой CVD технологии, которые в дальнейшем будут использованы в качестве подложек для роста нитрида галлия; - метод газофазного осаждения поликристаллических слоев открывает возможности для контролируемого получения материалов, которые могут использоваться в качестве эмиттеров электронов (холодных катодов), сенсоров, оптоэлектронных устройствах и т.д. - оптимизирован процесс синтеза и сконструирован реактор из нержавеющей стали для использования метода получения 2D материалов в потоке натрия; - методом ALD процесса получена тонкая пленка ZnO с последующим легированием алюминием при низкой температуре (250° C), что приводит к образованию высоко проводящего материала. Новизна. Определены оптимальные условия по получению нитрида галлия, оксида цинка и легирование ZnO алюминием, создан стальной реактор для получения 2D материалов в потоке натрия. Получен нитрид галлия, оксид цинка и легированный алюминием ZnO и охарактеризован состав и микроструктура физико-химическими методами. Область применения. Результаты исследований по получению 2D материалов методом химического осаждения из газовой фазы и атомно-слоевого осаждения будут использованы в светотехнических технологиях."