Исследованы кластеры сульфида кадмия малого размера. Рассмотрены влияние различных примесей поверхности (OH- и Cl-) кристалла CdS на образование центров захвата и взаимосвязи дипольного момента с формированием локализованных состояний. Для расчета электронных спектров использован метод TD DFT.*
