Разработка физико-технологических процессов формирования светоизлучающих структур на основе системы SiO[2]/Si с квантовыми точками полупроводников AB для систем
Жетекшінің аты-жөні, тегі: Габдуллин М.Т.
Work head: Тогамбаева А.К.*
: Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа при КазНУ им. аль-Фараби
Инвентарлық номер: 0214РК01631
Тіркелген номер: 0113РК01137
негізгі сөздер: структуры SiO[2]/Si*имплантация ионов*спектры рассеяния света*ионы селена*ионы цинка*сера*термообработка*нанокристаллы полупроводники*
Проведен поиск режимов имплантации и отжига, оптимальных для синтеза в имплантированных слоях нанокристаллов АВ. Проведено моделирование высокодозной имплантации ионов Zn, Se и S в структуры SiO[2]/Si со слоем оксида различной толщины. Были выбраны режимы ионной имплантации и проведена тройная имплантация Zn, Se и S в выбранных режимах. После имплантации был проведен отжиг экспериментальных образцов при температуре 900 град С в течение 30 минут в атмосфере аргона. Для исследования распределения внедренных примесей в матрице диоксида кремния и структурно-фазового состава имплантированных нитридных слоев использованы методы Резерфордовского обратного рассеяния, вторичной ионной масс-спектрометрии и комбинационного рассеяния света. *
