Представлено осуществление диффузии через наноструктурированного пористого кремния, которое приводит к увеличению выходных параметров СЭ, вследствие уменьшения тока насыщения p-n-перехода, спектры отражения и определение обратного тока насыщения СЭ. Исследовано формирование p-n-перехода на поверхности пористого кремния методом термодиффузии, определение слоевого сопротивления поверхности диффузионного слоя методом 4-х зондового измерения. Построение концентрационного профиля глубины залегания диффузионного p-n-перехода и предварительные выпрямляющие свойства мезаструктуры.*
