Разработка физико-математической модели транзистора, учитывающей воздействие температуры и радиации
Full Name of the work head: Мусабеков П.М.
Исполнители проекта: П.М.Мусабеков
: Акад.гражд.авиации
Inventory number: 0298РК00125
Registration number: 0197РК01008
Keywords: электронные, схемы, транзисторы, разработка, физико-математическая, модель,
Проведено моделирование электрических процессов в полупроводниковых схемах. Разработаны физико-математическая модель транзистора, учитывающая одновременное действие температуры и радиации, алгоритм расчета вольт-амперной характеристики. Модель может быть использована при проектировании электронных схем, предназначенных для работы в экстремальных климатических условиях, при действии радиации.
