Исследованы кристаллы LiF-TiO[2], LiF-WO[3] и LiF-Fe[2]O[3]. Обнаружено, создание и накопление собственных радиационных дефектов кристаллической решетки - центров окраски. С ростом числа накопленных радиационных дефектов в кристаллах увеличивается вклад процессов пострадиационного диффузионного взаимодействия радиационных дефектов, приводящего к увеличению времени послесвечения центров окраски.*