Исследован диэлектрик - ионный кристалл фторид лития, облученный легкими ионами углерода и азота. Показано, что после достижения насыщения концентрации F центров, концентрация сложных центров уменьшается. Причиной этого является создание больших агрегатов. Создана модель накопления дефектов в кристаллах LiF, облученных быстрыми ионами, которая раздельно учитывает статистику перекрывания треков, процессы создания дефектов. Тестирование проведено на концентрации центров созданных при облучении быстрыми ионами показало качественное согласие с экспериментальными результатами для ионов 23-МэВ N и 150-МэВ Kr.*
