Исследованы наноструктурированные эпитаксиальные пленки арсенида галлия, выращенные на подложках с металлическим типом проводимости, для создания фотопреобразователей и твердотельных СВЧ-устройств. На установке молекулярно-пучковой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои арсенида галлия на подложках из антимонида никеля, исследована морфология поверхности полученных пленок, их структурные и микроскопические свойства. С использованием методов комбинационного рассеяния света, оптической и атомно-силовой микроскопии и рентгеноструктурного анализа проанализировано качество эпитаксиальных слоев GaAs и выполнена оптимизация технологии их выращивания. Рентгенограммы изготовленных образцов подтверждают, что полученные гетероэпитаксиальные слои являются монокристаллическими.*