Проведено комплексное исследование структурных и оптических свойств систем нанокристаллов в кристаллическом кремнии и в слоях диоксида кремния полученных методом ионной имплантации и последующей термообработки. Разработаны режимы высокодозной имплантации в кремниевые подложки и структуры SiO[2]/Si "кластерообразующих" примесей. Разработан процесс создания стабильных композитных слоев кремния и оксида кремния с нанокристаллами полупроводников IV группы Периодической системы элементов и соединений АВ методом ионной имплантации и термообработок для светодиодных структур, излучающих в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне. Изготовлено 9 партий экспериментальных образцов, содержащих "кластерообразующие" примеси. Проведен анализ спектров ФЛ образцов кремния и диоксида кремния, содержащих нанокристаллические включения. Установлено, что с увеличением дозы имплантации олова и температуры термообработок интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает. Проведено исследование спектральных характеристик электролюминесценции тестовых светоизлучающих структур, изготовленных из образцов SiO[2]/Si с нанокристаллами, полученными в результате имплантации в слой диоксида кремния ионов Sn. Эти образцы характеризовались интенсивным свечением, видным невооруженным глазом при освещении фиолетовым или синим лазером.*
