Рассмотрены полупроводниковые квантовые точки полученные методами золь-гель технологии CdTe, CdTe-CdS, PbS. Экспериментально выявлено увеличение КПД фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) при нанесении тонких люминесцирующих пленок на 2-50 %. Показано, что квантовые точки (КТ) могут служить эффективным светоизлучающим материалом в тонких пленках, изучены физические свойства тонких пленок с осажденными КТ. Показано, что ультрафиолетовое и видимое излучения матрицы с высокой эффективностью передается квантовым точкам, освоен синтез КТ излучающих в области оптического поглощения ФЭП (от 650-1000 нм). Детально изучены все этапы формирования КТ из раствора. Определен элементный состав (энергодисперсионный анализ), методами рамановской спектроскопии изучены действующие ФЭП. Электронно-микроскопическими методами высокого разрешения определены размеры квантовых точек, определена их кристаллическая структура.*