Разработан метод синтеза чешуйчатых графенов в макроскопических количествах с площадью порядка 1 мкм2 и метод их отделения и очистки от примесей. Разработана технология изготовления солнечных элементов с р-n-переходом на основе кремния, в структуру которых входят металлооксидные наночастицы и слоистые графеновые пленки. Разработана технология изготовления GaAs солнечных элементов с барьером Шотки, в структуру которых входят металлооксидные наночастицы и слоистые графеновые пленки. Покрытие из металлооксидных наночастиц на солнечном элементе снижает коэффициент отражения в диапазоне длин волн от 300 до 1100 нм до 18 %. Коэффициент отражения исходного кремния составляет 30-35 %. Повышение светопоглощающих свойств за счет покрытия из металлооксидных частиц, улучшает параметры напряжения холостого хода, тока короткого замыкания и фоточувствительность в коротковолновой области солнечного света. В случае внедрения чешуйчатых графенов, повышение эффективности солнечного элемента происходит за счет уменьшения сопротивления фронтальной поверхности. Разработана и предложена технология повышения КПД до 3 % кремниевых и GaAs солнечных элементов, с применением наночастиц оксидов металлов и чешуйчатых слоистых графенов.*