Проведено исследования тонких пленок селенида кадмия CdSе. Изучены электродные процессы с участием ионов Cd{2+} и SеО[3]{2-} с использованием нового метода фотостимулированного электроосаждения CdSе на стеклоуглероде и проводящем стекле. Разработан оптимальный состав электролита на основе 0,1М сульфосалициловой кислоты для электроосаждения CdSe на стеклоуглеродные пластины и на FTO/стекло. Определено влияние освещения на процессы электроосаждения CdSe. Изготовлены образцы полупроводниковых покрытий CdSe на проводящем стекле для солнечных элементов. Установлено, что при исследованных условиях образование осадка CdSe на стеклоуглеродном электроде происходит по типу мгновенной нуклеации с образованием 3D кристаллов. Выбраны оптимальные условия для получения пленок CdSe с лучшими оптическими свойствами. Составлен технологический регламент для электроосаждения наноразмерных пленок СdSе. Составлен технологический регламент на полупроводник CdSе для фотоэлементов.*