Объект исследования: полупроводниковые кристаллы А3В5, в частности GaAs и GaP. Изучено влияние ориентации подложек на характеристики растворения GaAs и GaP расплавами Sn(Bi)-Al. Получены данные по анизотропии растворения подложек с ориентацией (100), (110) и (111)А, В. Проведено компьютерное моделирование процесса растворения подложек (100)GaВ5. Минимизирована степень деградации затравочных подложек при отделяемом росте свободных монокристаллических пленок GaB5.