Определены основные стадии формирования тонких пленок ZnIn[2]S[4] пиролизом аэрозоля смешанных тиомочевинных комплексов цинка и индия на кварцевой подложке. Определены условия синтеза этих комплексов прекурсоров для дальнейшего получения тонких пленок. Показано, что температура подложки в пределах 340-410 {о}С способствует формированию пленки ZnIn[2]S[4]. Выявлен температурный режим и концентрации для добавок атомов меди, вводимых в распыленный раствор.*