Цель работы - разработать экономичный процесс изготовления тонкопленочных структур для солнечных элементов, предполагающий многократное использование одной и той же дорогостоящей монокристаллической подложки из арсенида галлия. Для проведения работы применены компьютерный расчет с использованием оригинальных программ и синтез свободно расположенных пленок арсенида галлия на установке жидкофазной эпитаксии в потоке водорода. Впервые получены свободно расположенные монокристаллические пленки с высоким кристаллическим совершенством отделенные от подложки GaAs. Экономическая эффективность состоит в том, что использование тонких монокристаллических пленок GaAs позволяет улучшить рабочие характеристики и снизить себестоимость полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.*