Қазақстан Республикасының ұлттық ғылыми порталы

Қазақстан Республикасының Президенті

Қасым-Жомарт Тоқаев:

ҚАЗАҚСТАН ЖАҢҒЫРУДЫҢ ЖАҢА КЕЗЕҢІНЕ ҚАДАМ БАСТЫ

толығырақ

Асан Дабысұлы Тайманов (1917-1990)

математик-ғалым, физика-математика ғылымдарының докторы,

профессор, Қазақ КСР Ғылым академиясының академигі,

КСРО Оқу ағарту ісінің үздігі.

толығырақ

Қасым-Жомарт Тоқаев:

«Қазақстан бірте-бірте өңірлік академиялық

және ғылыми-зерттеу хабына айналып келеді»

толығырақ

ҒТА ұлттық қоры / ҒЗЖ туралы есептер

Разработка фундаментальных физических подходов для получения наноразмерных ячеек памяти с новыми свойствами для записи информации на основе модифицированных халькогенидных стеклообразных полупроводников

Жетекшінің аты-жөні, тегі: Лаврищев О.А.

Work head: Приходько О.Ю.*

: Научно-исследовательский институт экспериментальной и теоретической физики при КазНУ им. аль-Фараби

Инвентарлық номер: 0213РК03020

Тіркелген номер: 0112РК02877

негізгі сөздер: термическое испарение*аморфные пленки*примесь висмута*оптические свойства*электрические свойства нанопленок*халькогенидные полупроводники*наноразмерные ячейки памяти*

Ссылка

Исследованы электронные свойства наноразмерных пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] модифицированных примесью висмута (Ge[2]Sb[2]Te[5]). Пленки получались методом термического ударного (flash) испарения в вакууме. Для контроля структуры пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] использовались методы электронной сканирующей микроскопии с энерго-дисперсионным анализом, рентгенофазовый анализ; для изучения электронных свойств использовались оптические и электрические методы; для объяснения электронных свойств пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] использовалась модель структурных трансформаций при фазовых переходах и теория перколяции. Выявлены основные закономерности по влиянию примеси висмута на электронные свойства наноразмерных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5]. Установлено, что в пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] наблюдается увеличение оптического контраста. Температурные зависимости удельного сопротивления пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] включают три характерных участка с общими закономерностями изменения удельного сопротивления от температуры. В диапазоне температур от 130 до 170 град.С происходит резкое падение удельного сопротивления пленок в результате фазового перехода из аморфного состояния в кристаллическое.*

ҒТА ұлттық қоры / ҒЗЖ туралы есептер

Баннерлер