Разработана технология получения тонких пленок полупроводников CdS для солнечных элементов. Изготовлен новый материал для подложек на основе проводящего стекла с нанесенным методом магнетронного напыления тонким слоем SnO2. Установлено влияние освещения на процесс. Исследованы процессы фотокоррозии пленок. Изучена кинетика кристаллизации, установлено, что на проводящем стекле сульфид кадмия осаждается по 3D модели мгновенной нуклеации. Разработана новая технология получения устойчивых во времени коллоидных растворов сульфида кадмия, которые используются для изготовления наноточек при создании новых фотоэлементов третьего поколения. Разработана новая двухстадийная технология электроосаждения полупроводникового соединения CuInGaSe2.*
