Объект исследования: свободные от монокристаллической подложки-затравки эпитаксиальные пленки арсенида галлия-алюминия. Цель: изучение закономерностей процессов растворения-роста GаАs при жидкостной эпитаксии отделяемых пленок. Проанализированы возможные ошибки при определении ратворимости бинарных подложек в многокомпонентных растворах, содержащих в малых количествах элемент с большим коэффициентом сегрегации. Разработана методика исследования фазовых равновесий, экспериментально получены кривые растворимости в системах Sn-Ga-Аl-Аs/GaАs и Sn-Ga-Аl-Р/GaP. Изучен механизм растворения GaВ5 при жидкофазной эпитаксии из расплавов Sn-Ga-Аl. Область применения: полупроводниковая оптоэлектроника.