Установлена зависимость образования вторичного пористого слоя из осажденных атомов Si из раствора электролита на поверхности первичного пористого кремния на образцах Si от кристаллографической ориентации кремния. Показано, что образование 3D островков НК МС ПК происходит за счет минимизации их поверхностной и объемной энергии и меньшей атомарной гладкости поверхности Si (100) по сравнению с Si (111). Определено влияние капиллярных сил поверхностного натяжения на образование наноструктур. Выявлена роль капиллярных сил при образования островков определенных размеров и расстояние между ними.