Выработаны требования к параметрам слоев Si3N4 и Si3O4-xNу. Разработаны режимы осаждения на кремниевые подложки из газовой фазы при пониженном давлении. Изучен процесс формирования слоев пересыщенных растворов примесей в диэлектрических слоях на основе кремния. Сформированы диэлектрические слои на кремниевых подложках, содержащих нанокластеры кремния, олова или соединений А3В5. Изучен ход процесса и определены оптимальные условия для формирования. Установлены элементный состав примеси и распределение их концентрации по глубине диэлектрических слоев.