Разработаны новые методики синтеза подложечного материала и создано опытное производство светодиодных чипов. В результате методом лазерной абляции были синтезированы пленки поликристаллического SiC, магнетронного напыления, получены образцы, содержащие нитриды алюминия. Изучена морфология поверхности пленок 3C-SiC на кремнии.
